특허보유현황
나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법 및 이를 이용한 LED 소자의 제조방법
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020100003109
출원일
2010-01-13
등록번호
1009742880000
등록일
2010-07-30
IPC 분류
H10P 76/00|H10H 20/81|B82Y 40/00
대표도면
요약
본 발명은 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법 및 이를 이용한 LED 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 구현예에 따른 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법은 기판에 감광성 금속-유기물 전구체 용액을 코팅하는 단계; 요철구조가 패턴된 몰드를 준비하는 단계; 상기 패턴된 몰드로 상기 감광성 금속-유기물 전구체 코팅층을 가압하는 단계; 상기 가압된 감광성 금속-유기물 전구체 코팅층을 가열하거나 또는 가열함과 동시에 자외선을 조사하여 경화된 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계; 상기 패턴된 몰드를 상기 금속 산화박막 패턴으로부터 제거하는 단계;를 포함하며, 선택적으로 상기 금속 산화박막 패턴을 소성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 레지스트로 사용하기 위해 자외선 레진을 별도로 도포하는 공정이 생략될 수 있으므로 패턴 형성공정이 간소화되고, 단일 임프린트 공정으로 마이크로/나노 복합패턴을 형성할 수 있는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법이 제공된다.
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