특허보유현황
InP 양자점 제조를 위한 전구체 P(SiMe2-tert-Bu)3, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 InP 양자점과 이의 제조방법
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020100105960
출원일
2010-10-28
등록번호
1010433110000
등록일
2011-06-15
IPC 분류
C07F 19/00
대표도면
요약
본 발명은 InP 양자점 제조를 위한 전구체 P(SiMe 2 -tert-Bu) 3 와 이의 제조방법 및 상기 전구체 P(SiMe 2 -tert-Bu) 3 을 포함하는 InP과 InP/ZnS 양자점의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 전구체 P(SiMe 2 -tert-Bu) 3 과 이를 포함하는 InP 양자점 및 InP/ZnS 양자점에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는 Na/K의 합금에 터셔리-부틸디메틸클로로실란을 첨가하여 신규한 전구체 P(SiMe 2 -tert-Bu) 3 을 제조하고, 제조된 전구체 P(SiMe 2 -tert-Bu) 3 을 사용하여 InP 및 InP/Zn 양자점 입자를 형성할 수 있다. 상기 전구체 P를 이용하여 제조된 InP 및 InP/ZnS 양자점은 발광효율이 뛰어나다. 또한 상기 P(SiMe 2 -tert-Bu) 3 을 사용함으로써 저온 영역에서도 강한 구속력을 갖는 InP를 형성하면서도, 반응성이 낮아 안정성이 향상되는 효과가 있다.
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