특허보유현황
구리 이온 드리프트의 측정을 위한 구조체 및 이를 이용한 구리 이온 드리프트의 측정 방법
출원인
세종대학교산학협력단|한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020110029499
출원일
2011-03-31
공개번호
1020120111151
공개일
2012-10-10
등록번호
1012293260000
등록일
2013-01-29
IPC 분류
H10W 70/40|H10P 74/00
대표도면
요약
실리콘 웨이퍼 내에 수직 방향으로 형성된 비아 홀(via hole); 상기 비아 홀의 내부에 순차적으로 배치된 도전체, 확산 방지막 및 절연막; 상기 비아 홀 상부에 배치된 Ta/Al/TiN 를 포함하는 상부 전극; 및, 상기 실리콘 웨이퍼 후면에 배치된 접지용 전극: 을 포함하는, 구리 이온 드리프트 측정용 관통전극(Through Silicon Via, TSV) 구조체를 제공한다.
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