특허보유현황
2단계 원자층증착법에 의한 산화구리층 제조방법
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020110138132
출원일
2011-12-20
등록번호
1011999100000
등록일
2012-11-05
IPC 분류
C23C 16/455|H10P 14/24|C23C 16/40|H10P 10/00
대표도면
요약
본 발명은 p형 산화물반도체인 산화구리층(Cu x O)을 박막으로 제조하는 방법의 제공을 목적으로 한다. 본 발명의 일 관점에 의하면, 구리전구체가스 및 반응가스를 이용하여 기판 상에 구리원자층을 형성하는 제1단계; 및 산화가스로 상기 구리원자층을 산화시켜 산화구리층(Cu x O)을 형성하는 제2단계;를 포함하는, 2단계 원자증착법에 의한 산화구리층 형성방법이 제공된다.
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