특허보유현황
나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020110139516
출원일
2011-12-21
등록번호
1012476600000
등록일
2013-03-20
IPC 분류
H04R 25/00|H04R 3/04|A61F 11/04
대표도면
요약
본 발명은 나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법은 상부층과 하부층으로 구성되는 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법에 있어서, 상부층 제조단계와 하부층 제조단계와 상기 상부층과 상기 하부층을 결합시키는 결합단계를 포함하되, 상기 하부층 제조단계는, 베이스의 상면과 하면에 실리콘 옥사이드(SiO) 층을 적층하는 단계; 상기 베이스 상면의 실리콘 옥사이드 층 상에 실리콘 나이트라이드(Si 3 N 4 )로 구성되는 기저막을 적층하는 단계; 상기 기저막 상에 하층 전극부를 패터닝 하는 단계; 상기 하층 전극부 상에 나노 와이어를 성장시키는 단계; 상기 기저막의 하면에 마련된 층을 일부 제거함으로써 상기 기저막의 하면을 외부에 노출시키는 단계;로 구성되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 나노 와이어 성장을 이용하여 광 대역 주파수의 음향파를 인지하도록 도와줄 수 있는 나노와이어 성장을 이용한 인공와우용 주파수 분리장치 제조방법이 제공된다.
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