특허보유현황
나노패턴이 형성된 기판 제조방법
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020120132182
출원일
2012-11-21
공개번호
1020140065098
공개일
2014-05-29
등록번호
1014081810000
등록일
2014-06-10
IPC 분류
G03F 7/00|G03F 7/16|B82Y 40/00
대표도면
요약
본 발명은 나노패턴이 형성된 기판 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노패턴이 형성된 기판 제조방법은 기판상에 희생층을 적층하는 희생층적층단계; 상기 희생층상에 패턴층을 적층하는 패턴층적층단계; 상기 패턴층에 상호 이웃하며 돌출형성되는 돌출패턴을 형성하는 돌출패턴형성단계; 상기 돌출패턴 및 상호 이웃한 돌출패턴 사이에 평탄층을 적층하는 평탄층적층단계; 상기 기판의 일부가 노출되도록 상기 돌출패턴상에 위치하는 상기 평탄층과 상기 돌출패턴 하측에 위치하는 상기 희생층과 상기 돌출패턴을 식각하는 식각단계; 상기 평탄층 및 상기 노출된 기판상에 재료층를 적층하는 재료층적층단계; 리프트-오프(lift-off) 공정으로 상기 희생층을 제거하여 상기 기판상에 상호 이웃하며 돌출된 나노패턴을 형성하는 나노패턴형성단계;를 포함하며, 상기 식각단계에서 상기 평탄층이 하변의 길이보다 상변의 길이가 긴 역경사를 형성하도록 상기 평탄층의 식각 속도는 상기 희생층과 상기 패턴층의 식각속도 보다 느린 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 패턴층이 식각될 때 하변의 길이보다 상변의 길이가 긴 역경사를 형성함으로써, 최종적으로 형성되는 나노구조의 윗면이 평탄하게 형성되어 소자의 효율이 향상되는 나노패턴이 형성된 기판 제조방법이 제공된다.
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