특허보유현황
저온 소결법을 이용한 전극 제조방법
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020140003155
출원일
2014-01-10
공개번호
1020150083529
공개일
2015-07-20
등록번호
1015598470000
등록일
2015-10-06
IPC 분류
H01B 13/00
대표도면
요약
저온 소결법을 이용한 전극 제조방법에서, 표면이 고분자 물질로 캐핑된 금속 나노입자를 잉크화한다. 상기 금속 나노입자 잉크로 베이스 기판 상에 금속 패턴을 형성한다. 상기 금속 패턴 중 상기 고분자 물질을 세척한다. 상기 금속 패턴을 저온 소결하여 전극을 형성한다. 그리하여, 금속 나노입자의 표면에 캐핑된 고분자 물질을 용이하게 제거하면서도 금속 패턴을 저온 소결을 통해 전극을 형성할 수 있어 전극 제조공정의 효율성이 향상될 수 있다.
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