특허보유현황
패시베이션된 양자점 및 그 제조방법
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020150084388
출원일
2015-06-15
공개번호
1020160147526
공개일
2016-12-23
등록번호
1017195740000
등록일
2017-03-20
IPC 분류
H10K 50/00|H10K 99/00|H10D 62/80|H10H 20/811|H10F 77/14
대표도면
요약
개시된 패시베이션된 양자점의 제조방법은, 표면에 유기 리간드가 결합된 양자점 및 상기 양자점을 분산하는 비극성 용매를 포함하는 제1 용액을 준비하는 단계; 및 상기 제1 용액에, 할로겐 염 및 극성 용매를 포함하는 제2 용액을 가하여, 상기 유기 리간드를 제거하고, 상기 양자점의 표면에 할로겐 염을 포함하는 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 할로겐 화합물의 함량이, 상기 양자점 1g에 대하여 0.001몰 이상이다. 상기 방법에 따르면, 안정성이 높은 양자점을 얻을 수 있으며, 리간드 치환 공정 없이 양자점 박막을 형성할 수 있다.
전문보기
기술이전 상담신청