특허보유현황
후막 형성용 질화물 분말, 이를 이용한 질화물 후막 제조방법 및 이에 의해 제조된 후막
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020150085990
출원일
2015-06-17
공개번호
1020160149036
공개일
2016-12-27
등록번호
1017358220000
등록일
2017-05-08
IPC 분류
C04B 35/622|C04B 35/58|H05K 3/12
대표도면
요약
본 발명은, 표면에 휘스커(whisker)를 포함하는 후막 형성용 질화물 분말을 제공한다. 또한, 본 발명은, (a) 질소 또는 암모니아 기체 분위기 하에서 질화물 원료 분말을 어닐링하여 휘스커(whisker)를 포함하는 질화물 분말을 제조하는 단계; 및 (b) 상기 단계(a)에서 제조된 질화물 분말을 분말 분사(powder spray) 공정으로 기판 상에 코팅하여 후막을 형성시키는 단계를 포함하는 질화물 후막의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 표면에 휘스커(whisker)를 포함하는 후막 형성용 질화물 분말을 원료 분말로 이용해 분말 분사 공정을 통한 후막 형성 공정을 실시할 경우, 증착시 기판 과의 충돌에 의한 원료 분말의 크기 감소가 최소화되고, 그에 따라 기판과 증착막 간의 응력 발생이 현저히 감소함과 동시에 증착막을 이루는 질화물 입자 간의 계면 면적이 크게 줄어들어, 유기물 등과 같이 열전도성을 저하시키는 이물질을 포함하지 않은 고순도 및 고열전도성의 질화물 후막을 제조할 수 있다.
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