특허보유현황
레이저 직접 묘화로 양각 패턴의 형성 방법 및 전도성 고분자막
출원인
한국기계연구원|부산대학교 산학협력단
등록상태
등록
출원번호
1020150088743
출원일
2015-06-22
공개번호
1020160150559
공개일
2016-12-30
등록번호
1017296860000
등록일
2017-04-18
IPC 분류
H10K 99/00|H10P 76/00|H10P 10/00|G03F 7/20
대표도면
요약
본 발명의 한 실시예에 따른 양각 패턴의 형성 방법은 고분자막을 준비하는 단계, 고분자막에 레이저 빔을 조사하여 고분자막의 표면으로부터 돌출되는 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 레이저 빔의 에너지 밀도는 레이저 빔에 의해서 고분자막이 삭마되는 삭마 임계점 미만으로 조사하여 패턴을 형성할 수 있다.
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