특허보유현황
미세배선 형성 방법
출원인
한국재료연구원
등록상태
등록
출원번호
1020150148850
출원일
2015-10-26
공개번호
1020170048013
공개일
2017-05-08
등록번호
1024232750000
등록일
2022-07-15
IPC 분류
H10P 76/00|H10W 20/00|H10K 99/00|H01L 51/00
대표도면
요약
본 발명은 유연 기판 상에 낮은 배선폭과 피치 간격을 가지면서도 낮은 저항값 및 유연유연 기판과의 높은 밀착성을 가지는 금속배선을 형성하기 위하여, 유연 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판 상의 전면에 씨앗층을 형성하는 단계; 리프트 오프(lift-off) 공정으로 상기 희생층을 제거하고 상기 씨앗층 중에서 상기 오목부에 형성된 부분을 제외한 나머지를 제거하는 단계; 및 상기 오목부에 존재하는 씨앗층 상에 도금 공정으로 도금 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 미세배선 형성 방법을 제공한다.
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