특허보유현황
듀얼 게이트 구조로 이루어진 유기 전계효과 트랜지스터 타입의 복합센서장치 및 그 제조방법
출원인
한국재료연구원
등록상태
등록
출원번호
1020150184905
출원일
2015-12-23
공개번호
1020170075354
공개일
2017-07-03
등록번호
1024806560000
등록일
2022-12-20
IPC 분류
G01D 21/02|G01N 27/414|H10K 10/00|H01L 51/00|H10K 99/00
대표도면
요약
본 발명은 듀얼 게이트(Dual-Gate) 구조로 이루어진 유기 전계효과 트랜지스터(OFET) 타입의 복합센서장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명의 일실시예에 따르면, 듀얼 게이트 구조로 이루어진 유기 전계효과 트랜지스터 타입의 복합센서장치는, 서로 이격하여 평형하게 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 이루어지는 소스드레인 전극층, 상기 소스드레인 전극층 상단에 배치된 제 1 게이트 전극층, 상기 소스드레인 전극층 하단에 배치된 제 2 게이트 전극층, 상기 소스드레인 전극층과 상기 제 1 게이트 전극층 사이에 위치하되 자외선감지를 수행하는 제 1 유전층, 상기 소스드레인 전극층과 상기 제 2 게이트 전극층 사이에 위치하되 가스감지를 수행하는 채널층을 포함하여 이루어질 수 있다.
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