특허보유현황
SiC 지지층용 조성물 및 이를 이용한 Al2O3 코팅층을 포함하는 SiC 분리막 및 그 제조 방법
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020160171644
출원일
2016-12-15
등록번호
1018111990000
등록일
2017-12-15
IPC 분류
B01D 71/02|B01D 67/00|B01D 69/10|C02F 1/44
대표도면
요약
본 발명에서는 SiC 파우더, 융점이 낮은 글래스 프릿(glass frit) 10~25중량%을 포함하는 SiC 지지층용 조성물로부터 굴곡 강도가 우수한 SiC 지지층을 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 SiC 지지층용 조성물은 SiC 파우더; 상기 SiC 파우더 사이에 결합되는 글래스 프릿(glass frit); 및 유기 바인더;를 포함하고, 상기 SiC 지지층용 조성물 100중량%에 대하여, 글래스 프릿 15~25중량%를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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