특허보유현황
고열전도 질화규소 소결체의 제조방법
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020170024868
출원일
2017-02-24
공개번호
1020180097987
공개일
2018-09-03
등록번호
1020525920000
등록일
2019-11-29
IPC 분류
C04B 35/591|C04B 35/626
대표도면
요약
본 발명은 고열전도 질화규소 소결체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Si의 완전 질화를 기준으로 xSi 3 N 4 -yA 2 O 3 -zB 2 O 3 (여기서, x, y, z는 mol%이고, x, y, z 003e# 0, A 및 B는 Y, Sc, Nd 및 Yb로 이루어진 그룹 중에서 선택된 희토류 금속)의 조성식을 따르도록 Si, A 2 O 3 , 및 B 2 O 3 원료 분말을 배합하는 단계(S10)와, 상기 배합된 원료 분말을 혼합하는 단계(S20)와, 상기 혼합된 원료 분말을 성형하는 단계(S30)와, 상기 성형된 성형체를 질화하는 단계(S40), 및 상기 질화된 성형체를 소결하는 단계(S50)를 포함하는 질화규소 소결체의 제조방법을 제공함으로써, 소결체 내의 산소량을 저감시켜 고열전도도 발현에 유리하도록 하며, 소결 조건을 제어함으로써 열적, 기계적 특성이 우수한 질화규소 소결체를 제공한다.
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