특허보유현황

나노클러스터를 이용한 양자점의 제조 방법 및 양자점 박막의 제조 방법
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020170067759
출원일
2017-05-31
공개번호
1020180131133
공개일
2018-12-10
등록번호
1019305230000
등록일
2018-12-12
IPC 분류
H10H 20/812|H10H 20/824|C09K 11/62|C09K 11/06
대표도면
나노클러스터를 이용한 양자점의 제조 방법 및 양자점 박막의 제조 방법 대표도면
요약
개시된 나노클러스터를 이용한 양자점의 제조 방법은, III족 전구체와 용매를 포함하는 III족 전구체 용액과, V족 전구체, 용매 및 아민을 포함하는 V족 전구체 용액을 반응시켜 III-V족 반도체성 화합물을 포함하며, 비정질 상을 갖는 나노클러스터를 준비하는 단계, 상기 나노클러스터와 동일한 반도체성 화합물을 포함하며, 결정성을 갖는 시드 입자를 준비하는 단계 및 상기 시드 입자와 상기 나노클러스터를 반응시켜, 상기 시드 입자보다 큰 양자점을 형성하는 단계를 포함한다.
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