특허보유현황
복합실리콘산화막 형성방법, 이를 이용한 복합실리콘산화막 및 이를 이용한 투습방지부재
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020170098628
출원일
2017-08-03
공개번호
1020190014756
공개일
2019-02-13
등록번호
1019778850000
등록일
2019-05-07
IPC 분류
C23C 16/40|C23C 16/50
대표도면
요약
본 발명은 실리콘을 포함하는 전구체 가스 및 산소를 함유하는 분위기에서 플라즈마 처리를 수행하여 기판의 적어도 일부 상에 상기 SiO 2 및 SiO를 포함하는 상기 복합실리콘산화막을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 복합실리콘산화막의 Si2p XPS 분석 결과, SiO 2 피크(peak) 면적 대비 SiO 피크(peak) 면적의 비(SiO 2 피크 면적/SiO 피크 면적)가 1.85 보다 크고 2.55 보다 작은 값을 갖는 복합실리콘산화막 형성방법, 이를 이용한 복합실리콘산화막 및 이를 이용한 투습방지부재를 제공한다.
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