특허보유현황
질화물 후막 및 그 제조 방법
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020170148456
출원일
2017-11-09
공개번호
1020190052767
공개일
2019-05-17
등록번호
1021217360000
등록일
2020-06-05
IPC 분류
H10P 10/00|H10P 95/90|H10H 20/858|H10W 40/25
대표도면
요약
치밀하고 두께가 두꺼운 고열전도성의 질화물 후막 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 질화물 후막은 제조 방법은 (a) 질화물 분말로부터 질화물 그래뉼(granule)을 형성하는 단계; (b) 상기 질화물 그래뉼을 600~950℃에서 어닐링하는 단계; 및 (c) 상기 어닐링된 질화물 그래뉼을 기판 상에 분사하여 질화물 후막을 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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