특허보유현황
산화 처리된 SiC를 이용한 수처리용 세라믹 분리막
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020180099028
출원일
2018-08-24
공개번호
1020180098206
공개일
2018-09-03
등록번호
1019189160000
등록일
2018-11-09
IPC 분류
B01D 71/02|B01D 67/00|B01D 69/12|B01D 69/10|C02F 1/44
대표도면
요약
산화 처리된 SiC를 이용한 수처리용 세라믹 분리막 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 다공성 세라믹 지지층 상에 SiC를 이용하여 코팅층을 형성시킨 후 산화 분위기에서 소결하여 SiC 입자 표면에 SiO 2 산화막을 형성시킨다. 이러한 SiO 2 산화막의 낮은 결합 온도를 활용하여 수처리용 세라믹 분리막을 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 산화 처리된 SiC를 이용한 수처리용 세라믹 분리막은 다공성 세라믹 지지층; 및 상기 다공성 세라믹 지지층 상에 형성된 SiC층;을 포함하고, 상기 SiC층은 표면에 SiO 2 산화막이 형성된 SiC 입자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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