특허보유현황
※ 본 공고는 설정등록된 특허(특허법 제87조)를 기준으로 작성되었으며, 최신 특허출원은 설정등록 이후 순차적으로 반영됩니다.
수소화된 P-I-N층을 포함하는 반투명 비정질 실리콘 박막 태양전지 및 이의 제조방법
출원인
한국재료연구원
등록상태
등록
출원번호
1020190009353
출원일
2019-01-24
공개번호
1020200092157
공개일
2020-08-03
등록번호
1022410980000
등록일
2021-04-12
IPC 분류
H10F 10/166|H10F 77/166|H10F 77/164|H10F 19/30|H10F 77/20|H10F 77/70|H10F 71/00
대표도면
요약
본 발명의 일 관점에 따르면, 투명기판, 광전변환층, 상기 투명기판과 광전변환층 사이에 형성되는 제1투명전극층 및 상기 광전변환층 상부에 형성되는 제2투명전극층을 포함하는 반투명 비정질 실리콘 박막 태양전지 및 이의 제조방법이 제공된다.
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