특허보유현황
화학적 처리 없는 나노트랜스퍼 수행 방법
출원인
한국기계연구원|난양 테크놀러지컬 유니버시티
등록상태
등록
출원번호
1020210186617
출원일
2021-12-23
공개번호
1020230096772
공개일
2023-06-30
등록번호
1027755390000
등록일
2025-02-26
IPC 분류
H10P 14/40|H10P 50/26
대표도면
요약
본 발명의 일 실시예에 따른 나노트랜스퍼 수행 방법은, 기판에 나노트랜스퍼를 수행하는 방법에 있어서, (a) 하면에 설정 패턴에 대응하도록 몰드 돌출부가 형성된 폴리머 몰드가 준비되는 단계; (b) 금속이 폴리머 몰드의 하면에 증착되어, 금속층이 몰드 돌출부를 따라 형성되는 단계; (c) 폴리머 몰드가 소정의 온도에서 기판 몸체의 상면에 위치되어 기판 몸체를 소정의 시간 동안 소정의 압력으로 가압하여, 금속층이 설정 패턴을 따라 기판 몸체의 상면에 전사되는 단계; 및 (d) 폴리머 몰드가 기판 몸체로부터 이격되어, 기판 몸체의 상면에 전사된 금속층으로부터 이격되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
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