특허보유현황
광애노드 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조된 광애노드 전극
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020230047370
출원일
2023-04-11
공개번호
1020240151413
공개일
2024-10-18
등록번호
1028382300000
등록일
2025-07-21
IPC 분류
C25B 11/04|C25B 9/23|C25B 1/04|C23C 18/12
대표도면
요약
본 발명은, 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 금속 산화물 전구체가 포함된 전구체 조성물을 준비하는 전구체 조성물 준비 단계; 상기 기판에 금속 산화물 전구체 조성물을 코팅하여 금속 산화물 전구체층을 형성하는 코팅 단계; 기판에 코팅된 금속 산화물 전구체 조성물을 열처리하여 1차 박막을 형성하는 1차 열처리 단계; 상기 1차 박막을 가압하며 열처리하는 열가압 단계; 및 열가압 단계를 거친 기판을 열처리하는 2차 열처리 단계;를 포함하는 광애노드 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조된 광전기화학전지용 광애노드 전극에 관한 것으로, 본 발명의 제조방법에 따르면 고성능의 광애노드 전극을 제조할 수 있고, 대면적 전극에도 적용 가능하며, 생산성을 향상시킬 수 있다.
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