특허보유현황

플라즈마 반응장치, 이를 이용한 공정가스 처리 방법, 및 이를 구비한 반도체 공정 설비
출원인
한국기계연구원
등록상태
등록
출원번호
1020230093323
출원일
2023-07-18
공개번호
1020250013004
공개일
2025-01-31
등록번호
1028810660000
등록일
2025-10-30
IPC 분류
H01J 37/32
대표도면
플라즈마 반응장치, 이를 이용한 공정가스 처리 방법, 및 이를 구비한 반도체 공정 설비 대표도면
요약
플라즈마 반응장치는 셀 구조체와 복수의 유전체 및 복수의 고전압 전극을 포함한다. 셀 구조체는 진공관에 연결 설치된 중심관과, 중심관을 둘러싸는 반응 챔버와, 반응 챔버의 내부에 위치하여 반응 챔버의 내부 공간을 중심관의 둘레 방향을 따라 복수의 단위 셀로 구획하는 복수의 격벽을 포함하며, 진공관과 함께 접지된다. 복수의 유전체는 관형으로 이루어지며, 복수의 단위 셀 각각의 내부에서 진공관과 나란하게 위치한다. 복수의 고전압 전극은 복수의 유전체 각각의 내측에 위치하고, 전원으로부터 구동 전압을 인가받아 복수의 단위 셀에 플라즈마를 생성한다.
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