안녕하십니까

현재 TSV소자를 제작 하기 위해 실리콘을 200um DRIE etching 하고 Si 웨이퍼의 back side 를 500um Polishing 하여 etching hole 을 관통시켰고 이후 dicing 으로 웨이퍼를 cutting 하여 조각으로 SiO2 를 성장시킨 상태입니다.

관통시킨 Hole에 Metal 을
증착한 후 Hole 외벽에 CNT 성장을 의뢰하려고 하는데

성장이 가능한지, 가능하다면 
어느 두께 까지 CNT의 성장이 가능한지 알고 싶습니다.

CNT를 성장시기 위한 seed
layer 가 올라가 있지 않은데 seed layer 증착과 CNT 성장을 같이 의뢰 할 수 있을지 알고 싶습니다.

Mask, 공정순서, 단면도를
첨부합니다.